הדלפה חדשה משרשרת האספקה של יצרנית השבבים המובילה Qualcomm חושפת את מפת הדרכים שלה לרבעון השני של שנת 2015. לפי ההדלפה, מתכננת קוואלקום להשיק מספר מעבדים חדשים עבור השוק הבינוני-גבוה, ביניהם ספינת דגל חדשה, ושמה Snapdragon 820.
ספינת הדגל הנוכחית של Qualcomm, ה-Snapdragon 810, הושקה רק לאחרונה עם חשיפתו של ה-LG G Flex 2 בתערוכת CES. עם זאת, נראה שצפויה לה תקופת תהילה קצרה במיוחד – לפי ההדלפה, תכריז יצרנית השבבים בקרוב על ספינת דגל חדשה בשם Snapdragon 820.
קטנה, חזקה וחסכונית
ערכת השבבים החדשה צפויה לכלול מספר שידרוגים ושיפורים מהותיים על פני קודמתה. ראשית, היא תהיה ערכת השבבים הראשונה של קוואלקום שתיוצר בתהליך ייצור בגודל 14 ננומטר, ידיעה מפתיעה לאור העובדה שה-Snapdragon 810 הייתה ערכת השבבים הראשונה של החברה שיוצרה בתהליך ייצור בגודל 20 ננומטר.
ככל שתהליך הייצור קטן יותר, כך ניתן לדחוס מספר רב יותר של טרנזיסטורים בשטח נתון ולייצר מעבד עוצמתי יותר וחסכוני יותר. לפי חוק מור (שקבע גורדון מור, מייסד אינטל), תהליך הייצור ממוזער כל 18 עד 24 חודשים – ושוק המעבדים התקדם בקצב זה בדיוק מאז שנקבע החוק בשנת 1965. עם זאת, נראה שבשנה האחרונה חלה התקדמות מואצת בטכנולוגיות ייצור המעבדים, ושימוש בטכנולוגיה חדשה בשם FinFET מאפשרת את המעבר המהיר לתהליך הייצור החדשני.
בנוסף למעבר לתהליך הייצור המתקדם, ספינת הדגל החדשה צפויה לטמון בחובה 8 ליבות חדשות ועוצמתיות מסוג TS2, ליבות שתכננה קוואלקום בעצמה. להזכירכם, ב-Snapdragon 810 השתמשה החברה בליבות מסוג A57 ו-A53 בארכיטקטורה של חברת ARM, ולא בליבות תוצרת בית כפי שנהגה לעשות עד כה. זאת מפני שעד השקת ערכת השבבים לא היו ברשותה ליבות 64 ביט שתכננה בעצמה, ולכן נאלצה להשתמש באלה של חברת ARM. כעת נראה כי סיימה את תהליך פיתוח וברשותה זוג ליבות חדשות מסוג TS2 ו-TS1 המבוססות על ארכיטקטורה בשם Taipan. לצד הליבות העוצמתיות, ערכת השבבים החדשה תציע ליבה גרפית חדשה בשם Adreno 520, תמיכה בזיכרון RAM מסוג DDR4L וברשת LTE-A קטגוריה 10.
סדרת מלאה של ערכות שבבים חדשות
ה-Snapdragon 815, אחותה קטנה של ה-820, צפוייה לכלול גם היא 8 ליבות, אך הפעם 4 מהן יהיו מסוג TS2 וארבע מסוג TS1 והן יפעלו בתצורת big.LITTLE של חברת ARM שמאפשרת חיסכון בסוללה ללא התפשרות על הביצועים. בנוסף, ערכת השבבים צפויה לכלול ליבה גרפית מסוג Adreno 450, וכמו אחותה הגדולה תציע תמיכה בזיכרון ראם מסוג DDR4L וברשת LTE-A קטגוריה 10. בניגוד ל-Snapdragon 820, היא תיוצר בתהליך ייצור בגודל 20 ננומטר – זאת ככל הנראה משום שתהליך הייצור בגודל 14 ננומטר נמצא עדיין בחיתוליו וצפוי להציג תפוקה נמוכה בחודשיו הראשונים, בדומה לכל טכנולוגיית ייצור חדשה אחרת.
לשוק הבינוני תציע Qualcomm ארבע ערכות שבבים חדשות ומעניינות: Snapdragon 629, Snapdragon 625, Snapdragon 620, ו-Snapdragon 616. על פניו ה- 629 וה-625 נראות זהות, כל אחת מהן תציע 8 ליבות בתהליך ייצור בגודל 20 ננומטר שסוגן לא צויין, ליבה גרפית מסוג Adreno 418, תמיכה בזיכרון ראם מסוג LPDDR4 וברשת LTE-A קטגוריה 10.
סביר להניח שכאשר הן יוכרזו באופן רשמי תשפוך קוואלקום אור על ההבדלים ביניהן. הבאה בתור היא ה-Snapdragon 620, שתציע מערך ליבות צנוע יותר שיכלול 4 ליבות ״בלבד״ מארכיטקטורת Taipan החדשה והן תפעלנה במהירות שעון של בין 2.0 ל-2.5 גיגהרץ. אחרונה וחביבה היא ה-Snapdragon 616, שתציע 8 ליבות מסוג A53 במהירות שעון של בין 1.8 ל-2.2 גיגהרץ ולצידן ליבה גרפית מסוג Adreno 408. בנוסף היא תציע תמיכה בזיכרון ראם מסוג LPDDR3 וברשת מסוג LTE-A קטגוריה 6. היא תיוצר בתהליך הייצור ה״מיושן״ בגודל 28 ננומטר, ככל הנראה כדי להוזיל עלויות.
במידה וההדלפה אותנטית, תכריז קוואלקום על ערכות השבבים החדשות בזמן הקרוב. אנו מלאי תקווה כי בניגוד לקודמתה, ה-Snapdragon 820 לא תסבול מעיכובים מיותרים ונזכה לראותה כבר במכשירי סוף השנה כדוגמת ה-Samsung Galaxy Note 5.
