מה אנחנו באמת יודעים על זכרונות ה-RAM שבמכשירים שלנו? בדרך כלל, אין אנו מייחסים חשיבות לדבר מלבד הנפח, אך למהירויות הכתיבה והקריאה ישנה השפעה רבה על ביצועיו של המכשיר. סמסונג הייתה בין הראשונות להציג זכרונות DDR3 בעולם הסמארטפונים כשהכריזה על ה-Galaxy S4 בשנה שעברה. כעת מודיעה החברה כי החלה בייצור זכרונות DDR3 מהירים וחסכוניים המבוססים לראשונה על טכנולוגיית 20 ננו-מטר.
הקטנת טכנולוגיית הייצור סבוכה יותר כאשר מדובר בזכרונות RAM. בשונה מזכרונות פלאש NAND המורכבים מטרנזיסטורים, בזכרונות הגישה האקראית ישנו גם קבל לצידו של כל טרנזיסטור. על מנת לייצר את יחידות הזכרון בטכנולוגיית 20 ננו-מטר, היה על החברה למצוא דרך להקטין ולמקם את הקבלים באופן יעיל יותר. את המטרה השיגה סמסונג באמצעות שיפור שיטת הפוטוליטוגרפיה (הדפסה באמצעות קרני אור) ושימוש במערך דו שכבתי חדש. שיפור שיטת הייצור לא מאפשר רק ייצור זכרונות ב-20 ננו-מטר, אלא גם פותח את הדלת לייצור עתידי בטכנולוגיית 10 ננו-מטר.
נפחן של יחידות הזכרון החדשות הוא 4Gb (כלומר 0.5GB). הדבר מאפשר להקטין את הגודל הפיזי של שבב הזכרון במכשיר ולייצר מודול זכרון בנפח 2GB שעוביו 0.8 מ"מ בלבד. הזכרון החדש מציע מהירות תעבורת מידע של עד 2,133Mb וביצועים גבוהים בכ-30% מזכרונות הדור הקודם. כמובן שהקטנת טכנולוגיית הייצור מקטינה גם את השימוש באנרגיה, והזכרונות החדשים חסכוניים ב-20% לעומת זכרונות המיוצרים בטכנולוגיית 30 ננו-מטר.
כאמור, החברה כבר החלה בייצור הזכרונות החדשים וצפויה להשיק אותם במהלך השנה הנוכחית. סביר להניח, שכפי שהיה עם המעבר לזכרונות מבוססים DDR3, גם המעבר לשימוש בזכרונות 20 ננו-מטר לא יורגש בקרב הלקוחות. על כל פנים, זהו שיפור של עוד חולייה בשרשרת הביצועים – והחסכון באנרגיה הוא תמיד דבר מבורך.
(מקור – Samsung Tomorrow)